IBM 研究院与三星合作，在半导体设计方面取得了突破性进展，声称有助于摩尔定律在未来几年保持活力，并重塑半导体行业。他们提出了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新方法，称为垂直传输纳米片场效应晶体管（Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor, VTFET）。如下为 VTFET 晶圆示意图：

当今，主流的芯片架构采用横向传输场效应晶体管（FET），例如鳍式场效应晶体管（FinFET），因硅体类似鱼背鳍而得名。finFET 在设计上沿着晶圆表面对晶体管分层，电流沿水平方向流动。与这类设计不同的是，VTFET 是在垂直于硅晶圆的方向上将晶体管分层，并允许电流在堆叠晶体管中上下流动。

下图为接通电流时，VTFET（左）和横向 FinFET（右）晶体管组合结构的并排比较。

这种新的设计方法通过放宽晶体管门长度、间隔厚度和触点尺寸的物理限制来解决缩放（scaling ）障碍，并在性能和能耗方面对这些功能进行优化。

通过 VTFET，IBM 和三星成功地证明了在 CMOS 半导体设计中，探索纳米片技术以外的缩放性能是可能的。在这些先进的节点上，与按比例缩放的 FinFET 替代方案相比，VTFET 能够提供两倍的性能提升或者减少高达 85% 的能耗。

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