An Experimental Characterization of Combined RowHammer and RowPress Read Disturbance in Modern DRAM Chips

DRAM读取干扰可能会破坏内存隔离，这是确保系统健壮性（即可靠性、安全性、安全性）的基本属性。 RowHammer和RowPress是两种不同的DRAM读取干扰现象。 RowHammer通过重复打开和关闭攻击者DRAM行来在物理上相邻的受害DRAM行中引起位翻转，而RowPress通过使攻击者DRAM行长时间保持打开状态来引起位翻转。在这项研究中，我们对84个来自所有三个主要DRAM制造商的真实DDR4 DRAM芯片进行了组合RowHammer和RowPress的DRAM访问模式的表征。我们的关键结果表明，1）与最先进的RowPress模式相比，这种组合的RowHammer和RowPress模式需要更少的时间（最多快46.1％）来引起第一个位翻转，2）在至少激活一个攻击者行的最小计数以引起至少一个位翻转时，翻转的位在RowHammer、RowPress和组合模式中是不同的。根据我们的结果，我们提出一个关键假设，即由双面模式中两个攻击者行中的一个引起的RowPress引起的读取干扰效应比另一个显着得多。

论文旨在研究DRAM读取干扰现象，特别是RowHammer和RowPress的组合对内存隔离性的影响，以及其对系统的可靠性、安全性和稳定性的影响。

论文的关键思路是通过研究RowHammer和RowPress的组合模式，比较其与现有技术的区别，探究它们对DRAM读取干扰的影响，并提出了一个新的假设。

论文使用84个真实的DDR4 DRAM芯片进行实验，发现组合模式比RowPress更快地诱发了第一个比特翻转，并且在诱发至少一个比特翻转的最小攻击行激活计数时，不同的比特翻转是由RowHammer、RowPress和组合模式引起的。论文提出了一个假设，即双面模式中RowPress引起的读取干扰效应比另一个更显著。

最近的相关研究包括：《RowClone: Fast and Energy-Efficient In-DRAM Bulk Data Copy and Initialization》、《A Retrospective Study of RowHammer》、《Flipping Bits in Memory Without Accessing Them: An Experimental Study of DRAM Disturbance Errors》等。