DRAM-Profiler: An Experimental DRAM RowHammer Vulnerability Profiling Mechanism

RowHammer是一个突出的例子，可能是最先开创的例子，展示了电路级别的故障机制如何导致系统中的重大和普遍的安全漏洞。先前的研究在静态威胁模型框架下对RowHammer攻击进行了探讨。然而，它需要在更细致和动态的模型中进行考虑。本文提出了一种低开销的DRAM RowHammer漏洞分析技术，称为DRAM-Profiler，它利用创新的测试向量将存储单元分类为不同的安全级别。所提出的测试向量有意削弱了攻击者和受害者行之间的空间相关性，以便在评估之前进行攻击，从而帮助设计人员在映射阶段缓解RowHammer漏洞。虽然我们不知道以前有没有展示这种分析的影响的研究，但我们的研究系统地评估了128种商用DDR4 DRAM产品。结果揭示了不同制造商的芯片在可以被对手利用的RowHammer攻击的类型和数量方面存在显著的变异。

本文旨在提出一种低开销的DRAM RowHammer漏洞分类技术，以更准确地评估内存单元的安全性，从而帮助设计人员在映射阶段缓解RowHammer漏洞。

提出了一种新的测试向量，用于评估DRAM RowHammer漏洞的安全性，并将内存单元分为不同的安全等级。

通过对128个商用DDR4 DRAM产品的评估，发现不同制造商的芯片在可被攻击的RowHammer攻击类型和数量上存在显着的差异。该技术可以帮助设计人员缓解RowHammer漏洞，并提高系统的安全性。

之前的研究主要采用静态威胁模型来研究RowHammer攻击，而本文提出的动态模型可以更准确地评估内存单元的安全性。